SK하이닉스 - 저전력/고성능 모바일 D램 제품 개발 성공

# 업계 최초 HKMG 공정 적용한 모바일 D램 제품 개발 성공/상용화

 SK하이닉스가 업계 최초로 제품 개발 단계에 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 적용한 모바일 D램 제품 LPDDR5X(Low Power Double Rate 5X) 개발에 성공하여 양산에 들어가 시장에 제품을 공급하고 있다. 

 

 

 HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전 용량을 개선한 차세대 공정으로, 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 게 특징이다. D램의 소비 전력은 더욱 낮아지고 성능은 향상되는 만큼 해당 제품이 적용된 모바일 디바이스는 1회 충전으로 더욱 오랜 시간 사용할 수 있을 것으로 보인다.

 

 LPDDR5X 신제품의 동작속도는 초당 8.5 Gbps로 이전 세대 대비 33% 빠르다. 초고속을 구현하는 동시에 국제반도체표준협의기구가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에 작동하면서 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄였다. 이 제품은 현재 시장에 출시된 모바일 D램 중 전력사용 효율성이 가장 높다고 SK하이닉스는 설명했다. 

 

 최근 SK하이닉스는 LPDDR5X 단품 칩을 여러 개 결합해 만든 16GB의 패키지를 시장에 출시했다. 패키지 제품의 데이터 처리속도는 초당 68GB로, 5GB 풀 HD급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다.

 

 

  스마트폰을 비롯한 모바일 기기의 수요가 늘어나며 LPDDR 역시 빠르게 발전해왔다. 특히 그동안 저전력 D램은 스마트폰과 태블릿PC 등 모바일 기기에만 탑재됐으나 최근 전기차와 인공지능(AI) 등 응용처가 다양화되는 추세여서 고성능 모바일용 D램 수요는 늘어날 것으로 전망되며 LPDDR5X의 활용 범위도 넓어질 것으로 기대된다.

 

 자율주행/사물인터넷(loT)등 첨단 기술의 활용처가 넓어진 데 따라 저전력 고성능 반도체 수요가 급증했고 작은 크기에 우월한 성능을 갖춘 모바일 D램의 몸값도 올라가고 있다. 이에 SK하이닉스는 모바일 D램 기술력을 빠르게 향상시켜가고 있다.